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连云港市质量技术综合检验检测中心连云港质量技术综合检测中心

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晶体硅

检测能力
  • 导电类型
    能力名称：导电类型
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：非本征半导体材料导电类型测试方法/GB/T 1550-1997
    限制说明：
    资质说明：
  • 基磷电阻率
    能力名称：基磷电阻率
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅多晶气氛区熔基磷检验方法/GB/T 4059-2007
    限制说明：
    资质说明：
  • 参考面长度
    能力名称：参考面长度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法/GB/T 13387-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 表面质量
    能力名称：表面质量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：锗单晶和锗单晶片/GB/T5238-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 表面质量
    能力名称：表面质量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子级多晶硅/GB/T12963-2014
    限制说明：
    资质说明：
  • 少数载流子寿命
    能力名称：少数载流子寿命
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：非接触微波反射光电导衰减测试硅晶片载流子复合寿命的方法/SEMIMF 1535-1106
    限制说明：
    资质说明：
  • 氧浓度
    能力名称：氧浓度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法/GB/T 1557-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 外延层厚度
    能力名称：外延层厚度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法/GB/T 14847-2010
    限制说明：
    资质说明：
  • 基体金属杂质含量
    能力名称：基体金属杂质含量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：高分辨率辉光放电质谱法测量太阳能电池硅材料中痕量元素的方法/SEMI V1-0709
    限制说明：
    资质说明：
  • 碳浓度
    能力名称：碳浓度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：红外吸收法测试硅中替位碳原子含量/SEMI MF1391-1107
    限制说明：
    资质说明：
  • 表面质量
    能力名称：表面质量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：太阳能级多晶硅/GB/T25074-2010
    限制说明：
    资质说明：
  • III-V族杂质含量
    能力名称：III-V族杂质含量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法/GB/T 24581-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 厚度及总厚度变化
    能力名称：厚度及总厚度变化
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：锗单晶和锗单晶片/GB/T5238-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 氧化诱生缺陷
    能力名称：氧化诱生缺陷
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法/GB/T 4058-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 厚度及总厚度变化
    能力名称：厚度及总厚度变化
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅片厚度和总厚度变化测试方法/GB/T 6618-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 位错密度
    能力名称：位错密度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法/GB/T5252-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 氧浓度
    能力名称：氧浓度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：用短基线红外吸收法测试硅中间隙氧原子含量/SEMI MF1188-1107
    限制说明：
    资质说明：
  • 碳浓度
    能力名称：碳浓度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法/GB/T 1558-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 氧化夹层
    能力名称：氧化夹层
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法/GB/T4061-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 规格
    能力名称：规格
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅单晶/GB/T12962-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 单晶方片边长
    能力名称：单晶方片边长
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：锗单晶和锗单晶片/GB/T5238-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 少数载流子寿命
    能力名称：少数载流子寿命
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法/GB/T26068-2010
    限制说明：
    资质说明：
  • 尺寸范围
    能力名称：尺寸范围
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：太阳能级多晶硅/GB/T25074-2010
    限制说明：
    资质说明：
  • 表面质量
    能力名称：表面质量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅抛光片表面质量目测检验方法/GB/T 6624-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • III-V族杂质含量
    能力名称：III-V族杂质含量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：单晶硅Ⅲ-Ⅴ级杂质的低温FT-IR分析测试方法/SEMI MF1630-1107
    限制说明：
    资质说明：
  • 外形尺寸
    能力名称：外形尺寸
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：太阳能电池用硅单晶切割片/GB/T26071-2010
    限制说明：
    资质说明：
  • 基硼电阻率
    能力名称：基硼电阻率
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅多晶真空区熔基硼检验方法/GB/T 4060-2007
    限制说明：
    资质说明：
  • 主参考面晶向
    能力名称：主参考面晶向
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅片参考面结晶学取向 X射线测量方法/GB/T 13388-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 金属杂质和硼含量
    能力名称：金属杂质和硼含量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：高分辨率辉光放电质谱法测量太阳能电池硅材料中痕量元素的方法/SEMI V1-0709
    限制说明：
    资质说明：
  • 少数载流子寿命
    能力名称：少数载流子寿命
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法/GB/T 1553-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 直径及允许偏差
    能力名称：直径及允许偏差
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅片直径测量方法/GB/T 14140-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 电阻率
    能力名称：电阻率
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅单晶电阻率测定方法/GB/T 1551-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 翘曲度
    能力名称：翘曲度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅片翘曲度非接触式测试方法/GB/T 6620-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 晶向及晶向偏离度
    能力名称：晶向及晶向偏离度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体单晶晶向测定方法/GB/T 1555-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 电阻率
    能力名称：电阻率
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法/GB/T 6616-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 径向电阻率变化测量
    能力名称：径向电阻率变化测量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅片径向电阻率变化的测量方法/GB/T 11073-2007
    限制说明：
    资质说明：
  • 外延层位错
    能力名称：外延层位错
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法/GB/T 14142-1993
    限制说明：
    资质说明：
  • 基体金属杂质含量
    能力名称：基体金属杂质含量
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质/GB/T 24582-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 尺寸范围
    能力名称：尺寸范围
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子级多晶硅/GB/T12963-2014
    限制说明：
    资质说明：
  • 外形尺寸
    能力名称：外形尺寸
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：太阳电池用多晶硅片/GB/T29055-2012
    限制说明：
    资质说明：
  • 参考面位置
    能力名称：参考面位置
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅单晶抛光片/GB/T12964-2003
    限制说明：
    资质说明：
  • 晶体完整性
    能力名称：晶体完整性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法/GB/T 1554-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 外延层堆垛层错密度
    能力名称：外延层堆垛层错密度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法/GB/T 14142-1993
    限制说明：
    资质说明：
  • 结构
    能力名称：结构
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法/GB/T 4061-2009
    限制说明：
    资质说明：
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检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
导电类型 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1550-1997
基磷电阻率 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T 4059-2007
参考面长度 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13387-2009
表面质量 锗单晶和锗单晶片 GB/T5238-2009
表面质量 电子级多晶硅 GB/T12963-2014
少数载流子寿命 非接触微波反射光电导衰减测试硅晶片载流子复合寿命的方法 SEMIMF 1535-1106
氧浓度 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-2006
外延层厚度 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T 14847-2010
基体金属杂质含量 高分辨率辉光放电质谱法测量太阳能电池硅材料中痕量元素的方法 SEMI V1-0709
碳浓度 红外吸收法测试硅中替位碳原子含量 SEMI MF1391-1107