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西安卫光科技有限公司检测中心西安卫光检测中心

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半导体分立器件类半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)

检测能力
  • 栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)
    能力名称：栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 老炼试验
    能力名称：老炼试验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 稳态热阻Rja，Rjc
    能力名称：稳态热阻Rja，Rjc
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电工电子产品环境试验第2部分:试验方法/GB/T 2423.23-1995
    限制说明：
    资质说明：
  • 低温测试
    能力名称：低温测试
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明：只测：7001/LF2 100L W450*H500*D450(mm)，TSG2055W 200L W650*H500*D450(mm)温度范围：-70℃~-40℃
    资质说明：
  • 结电容(Ciss,Coss,Crss)
    能力名称：结电容(Ciss,Coss,Crss)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 易燃性试验
    能力名称：易燃性试验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件机械和气候试验方法/GB/T4937.1-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 结电容(Ciss,Coss,Crss)
    能力名称：结电容(Ciss,Coss,Crss)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管第7条/
    限制说明：
    资质说明：
  • 开关时间(tdon,tr,tf,tdoff)
    能力名称：开关时间(tdon,tr,tf,tdoff)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 耐溶性
    能力名称：耐溶性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 外观及机械检验
    能力名称：外观及机械检验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 漏-源通态电阻RDS(on)
    能力名称：漏-源通态电阻RDS(on)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 持续源极电流Is
    能力名称：持续源极电流Is
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测实验
    能力名称：粒子碰撞噪声检测实验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 正向跨导gfs
    能力名称：正向跨导gfs
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 开关时间(tdon,tr,tf,tdoff)
    能力名称：开关时间(tdon,tr,tf,tdoff)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 瞬态热阻Rth
    能力名称：瞬态热阻Rth
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 高温反偏试验
    能力名称：高温反偏试验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)LC-223 166L W600*H750*D500(mm) DGF30022B 166L W600*H750*D500(mm) ，温度范围：85℃~175℃
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测实验
    能力名称：粒子碰撞噪声检测实验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548 B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 耐溶性
    能力名称：耐溶性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 漏极截止电流IDSS
    能力名称：漏极截止电流IDSS
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 栅极截止电流IGSS
    能力名称：栅极截止电流IGSS
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 高温测试
    能力名称：高温测试
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)TSG2055W 200LW650*H500*D450(mm)，温度范围：85℃~200℃
    资质说明：
  • 瞬态热阻Rth
    能力名称：瞬态热阻Rth
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明：
    资质说明：
  • 反向恢复时间trr
    能力名称：反向恢复时间trr
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管/GB/T
    限制说明：
    资质说明：
  • 脉冲源极电流ISM
    能力名称：脉冲源极电流ISM
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明：
    资质说明：
  • 二极管正向压降VSD
    能力名称：二极管正向压降VSD
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明：
    资质说明：
  • 高温寿命
    能力名称：高温寿命
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)LC-223 166L W600*H750*D500(mm)DGF30022B 166LW600*H750*D500(mm) ，温度范围：85℃~175℃
    资质说明：
  • 正向跨导gfs
    能力名称：正向跨导gfs
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 稳态热阻Rja，Rjc
    能力名称：稳态热阻Rja，Rjc
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：JEDEC标准/JESD51 JESD51-14
    限制说明：
    资质说明：
  • 阈值电压VGS(th)
    能力名称：阈值电压VGS(th)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 漏-源击穿电压V(BR)DSS
    能力名称：漏-源击穿电压V(BR)DSS
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测实验
    能力名称：粒子碰撞噪声检测实验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 耐溶性
    能力名称：耐溶性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序 GJB-548/B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 稳态热阻Rja，Rjc
    能力名称：稳态热阻Rja，Rjc
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
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检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
栅电荷(Qg,Qgs,Qgd) 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750E-2006
老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
稳态热阻Rja，Rjc 半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 GB/T4586-1994 第Ⅳ章
密封 电工电子产品环境试验第2部分:试验方法 GB/T 2423.23-1995
低温测试 半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 GB/T4586-1994 只测：7001/LF2 100L W450*H500*D450(mm)，TSG2055W 200L W650*H500*D450(mm)温度范围：-70℃~-40℃
结电容(Ciss,Coss,Crss) 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750E-2006
易燃性试验 半导体器件机械和气候试验方法 GB/T4937.1-2006
结电容(Ciss,Coss,Crss) 半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管第7条
开关时间(tdon,tr,tf,tdoff) 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
耐溶性 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97