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西安卫光科技有限公司检测中心西安卫光检测中心

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半导体分立器件类半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)

检测能力
  • 发射极-基极反向击穿电压V(BR)EBO
    能力名称：发射极-基极反向击穿电压V(BR)EBO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 正向电流传输比HFE
    能力名称：正向电流传输比HFE
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-基极反向截止电流ICBO
    能力名称：集电极-基极反向截止电流ICBO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电工电子产品环境试验第2部分:试验方法/GB/T 2423.23-1995
    限制说明：
    资质说明：
  • 直流安全工作区
    能力名称：直流安全工作区
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-基极反向截止电流ICBO
    能力名称：集电极-基极反向截止电流ICBO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 老炼试验
    能力名称：老炼试验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测实验
    能力名称：粒子碰撞噪声检测实验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548 B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 基极-发射极饱和电压VBE(sat)
    能力名称：基极-发射极饱和电压VBE(sat)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 高温测试
    能力名称：高温测试
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)TSG2055W 200LW650*H500*D450(mm)，温度范围：85℃~200℃
    资质说明：
  • 高温反偏试验
    能力名称：高温反偏试验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)LC-223 166L W600*H750*D500(mm) DGF30022B 166L W600*H750*D500(mm) ，温度范围：85℃~175℃
    资质说明：
  • 低温测试
    能力名称：低温测试
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：只测：7001/LF2 100L W450*H500*D450(mm)，TSG2055W 200L W650*H500*D450(mm)温度范围：-70℃~-40℃
    资质说明：
  • 开关时间测试(tdon,tr,tf,tdoff)
    能力名称：开关时间测试(tdon,tr,tf,tdoff)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 瞬态热阻Rth
    能力名称：瞬态热阻Rth
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-发射极电压VCEO
    能力名称：集电极-发射极电压VCEO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分第Ⅳ章/
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-基极电压VCBO
    能力名称：集电极-基极电压VCBO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 开关时间测试(tdon,tr,tf,tdoff)
    能力名称：开关时间测试(tdon,tr,tf,tdoff)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测实验
    能力名称：粒子碰撞噪声检测实验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 开关时间测试(tdon,tr,tf,tdoff)
    能力名称：开关时间测试(tdon,tr,tf,tdoff)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分第Ⅳ章/
    限制说明：
    资质说明：
  • 直流安全工作区
    能力名称：直流安全工作区
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO
    能力名称：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
    能力名称：集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 易燃性试验
    能力名称：易燃性试验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件机械和气候试验方法/GB/T4937.1-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 稳态热阻Rja，Rjc
    能力名称：稳态热阻Rja，Rjc
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-发射极电压VCEO
    能力名称：集电极-发射极电压VCEO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 低温测试
    能力名称：低温测试
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：只测：7001/LF2 100L W450*H500*D450(mm)，TSG2055W 200L W650*H500*D450(mm)温度范围：-70℃~-40℃
    资质说明：
  • 集电极-发射极截止电流ICEO
    能力名称：集电极-发射极截止电流ICEO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 发射极-基极反向截止电流IEBO
    能力名称：发射极-基极反向截止电流IEBO
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 外观及机械检验
    能力名称：外观及机械检验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 稳态热阻Rja，Rjc
    能力名称：稳态热阻Rja，Rjc
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：JEDEC标准/JESD51 JESD51-14
    限制说明：
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
  • 高温测试
    能力名称：高温测试
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体器件的试验方法 标准试验方法/MIL-STD-750E-2006
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)TSG2055W 200LW650*H500*D450(mm)，温度范围：85℃~200℃
    资质说明：
  • 高温寿命
    能力名称：高温寿命
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)LC-223 166L W600*H750*D500(mm)DGF30022B 166LW600*H750*D500(mm) ，温度范围：85℃~175℃
    资质说明：
  • 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)
    能力名称：集电极-发射极饱和电压VCE(sat)
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测实验
    能力名称：粒子碰撞噪声检测实验
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-97
    限制说明：
    资质说明：
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检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
发射极-基极反向击穿电压V(BR)EBO 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章
正向电流传输比HFE 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750E-2006
集电极-基极反向截止电流ICBO 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750E-2006
密封 电工电子产品环境试验第2部分:试验方法 GB/T 2423.23-1995
直流安全工作区 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750E-2006
集电极-基极反向截止电流ICBO 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章
老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
粒子碰撞噪声检测实验 微电子器件试验方法和程序 GJB548 B-2005
基极-发射极饱和电压VBE(sat) 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章
高温测试 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 只测：LC-222 166L W450*H820*D450(mm)TSG2055W 200LW650*H500*D450(mm)，温度范围：85℃~200℃