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成都凯天电子股份有限公司实验中心成都凯天电子

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光耦合器

检测能力
  • 反向截止电流
    能力名称：反向截止电流
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-发射极反向击穿电压
    能力名称：集电极-发射极反向击穿电压
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 反向击穿电压
    能力名称：反向击穿电压
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 集电极-发射极饱和电压
    能力名称：集电极-发射极饱和电压
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 正向压降
    能力名称：正向压降
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 电流传输比
    能力名称：电流传输比
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
  • 反向电流
    能力名称：反向电流
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：
    资质说明：
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检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
反向截止电流 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
集电极-发射极反向击穿电压 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
反向击穿电压 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
集电极-发射极饱和电压 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
正向压降 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
电流传输比 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
反向电流 半导体光耦合器测试方法 SJ/T2215-2015