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上海交通大学交大

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反应离子刻蚀机

  • 制造厂商:Sentech
  • 购置日期:2014-01-17
  • 型号:SI500
  • 生产国别:德国
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仪器详情
  • 功能/应用范围: 金属薄膜(如铝、镍、铬、钛等)、多晶硅和Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀
  • 主要附件: 无
  • 主要技术指标: 1.气体种类:CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3等 Gas: CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3 2.基片尺寸:最大支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片 substrate size: Up to 8inch and below; broken pieces 3.射频电源 ICP电源:13.56MHz,1200W; 偏压电源:13.56MHz,600W RF Generators: ICP source: 13.56MHz, 1200w; RF Bias:13.56MHz, 600 W 4.工艺温度:-20℃到80℃可控 Process temperature: -20℃ to 80℃ controllable 5.传送模式:自动Loadlock传送系统 Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system