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上海交通大学交大

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卧式低压化学气相沉积炉管系统

  • 制造厂商:SVCS
  • 购置日期:2014-01-17
  • 型号:LH2
  • 生产国别:捷克
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仪器详情
  • 功能/应用范围: 用于沉积高品质的n型掺杂或非掺杂的多晶硅或非晶硅;用于沉积高品质的低应力氮化硅或氮氧化硅
  • 主要技术指标: 1.炉管1:N型多晶硅以及非晶硅薄膜沉积工艺 (LPCVD Poly) 气体:高纯N2、SiH4、PH3 Tube 1:n type doped poly and amorphous silicon film deposition process. Process gas: PN2, SiH4, PH3 2.炉管2:低应力氮化硅,氮氧化硅薄膜(LPCVD Nitride) 气体:高纯N2、NH3、N2O、SiH2Cl2 Tube 2:low stress Si3N4 and SiON film Process gas: PN2, NH3, N2O, SiH2Cl2 3.温度:700-900 °C 4.Temperature 700-900 °C 5.硅片尺寸:3英寸、4英寸、6英寸圆片;50片/炉 Silicon wafer: 3”,4”,6” wafer;50wafers/batch